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文献解读：重复经颅磁刺激（rTMS）在脑卒中后上肢功能康复中的靶点选择及应用进展
发布时间：
2024-12-10 16:52
引 言
脑卒中是一种常见的脑血管疾病，具有高发病率、高死亡率、高致残率和高复发率的特点，给社会经济带来了沉重负担。脑卒中后，约30%-60%的患者会出现不同程度的上肢运动功能障碍，严重影响患者的生活质量。因此，探索有效的康复技术，促进脑卒中患者上肢运动功能的恢复，具有重要的临床意义。近年来，重复经颅磁刺激（rTMS）作为一种无创、无痛、安全的神经调控技术，在脑卒中后上肢功能康复中展现出巨大潜力。
rTMS技术概述
rTMS是基于电磁感应原理的无创脑刺激技术，通过高强度脉冲磁场作用于中枢神经系统，调节脑内代谢和神经电生理活动。根据刺激频率的不同，rTMS可分为低频（≤1 Hz）和高频（>1 Hz）两种模式。低频rTMS可降低刺激区域皮质的兴奋性，产生长时程抑制（LTD）效应；而高频rTMS则能提高皮质兴奋性，产生长时程增强（LTP）效应。
rTMS促进脑卒中后
上肢运动功能康复的作用机制
1. 突触可塑性增强
LTP和LTD：rTMS通过促进长时程增强（LTP）和长时程抑制（LTD）效应，增强突触可塑性，允许大脑重新组织和重组神经通路。
2. 神经递质和神经营养因子的调节
• 神经递质：如多巴胺、谷氨酸和GABA的释放和表达受到rTMS的调节。
• 神经营养因子：如BDNF的表达增加，支持受损神经网络的修复和重建。
• 炎症因子：rTMS通过调节免疫细胞和炎症因子来减少神经炎症，抑制神经元凋亡。
3. 运动相关脑区的重塑
• M1区、PMC、SMA：rTMS可能通过对这些与运动功能直接相关的脑区的重塑来提高脑卒中患者的上肢功能。
rTMS在脑卒中后
上肢功能康复中的应用
单侧M1区的rTMS治疗
基于半球间抑制（IHI）模型，对于脑卒中后上肢运动功能障碍，有两种标准的rTMS治疗方案：
1. 低频rTMS作用于健侧M1区：降低健侧M1区的兴奋性，减少对患侧半球的过度抑制。
2. 高频rTMS作用于患侧M1区：提高患侧M1区的兴奋性，促进功能恢复。
双侧M1区的多靶点rTMS治疗
近年来，多靶点rTMS刺激在脑卒中上肢功能康复中的应用逐渐增多。常用的方案是结合健侧低频rTMS和患侧高频rTMS，旨在更好地恢复双侧半球的兴奋性失衡。研究表明，这种双侧联合刺激在改善上肢运动功能方面优于单侧刺激。
PMd区的rTMS治疗
前运动皮层（PMd）是rTMS研究的新靶点。对于轻度至中度上肢运动功能受损的患者，健侧PMd区的低频rTMS治疗可改善上肢功能。而对于重度上肢运动功能受损的患者，健侧PMd区的高频rTMS可能更有利于功能恢复。
靶点选择和定位方法
精确定位刺激靶点对于提高rTMS的治疗效果至关重要。M1区常用的定位方法包括国际脑电图10-20系统、磁共振成像导航系统和运动诱发电位定位等。而PMd区则通常通过定位M1区来间接定位。随着神经导航和功能性神经影像学技术的发展，rTMS的靶点定位将更加精准和个体化。
结 语
rTMS作为一种无创神经调控技术，在脑卒中后上肢功能康复中展现出广阔的应用前景。未来的研究应进一步探索rTMS的最佳应用时机、刺激靶点、参数组合以及个体化治疗方案，以优化治疗效果，帮助更多脑卒中患者重获上肢功能，提高生活质量。
参考文献
本文来源：
刘灿欢 ，沈 滢 ，戴文强，郭 川，程怡慧，朱 奕，王 彤.重复经颅磁刺激提高脑卒中后上肢功能靶点选择和定位的应用进展.《康复学报》2024 年 第 34 卷 第 3 期
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